学号 《信息安全系统设计基础》第7周学习总结（一）
教材学习内容总结
基本存储技术：SRAM存储器 DRAM存储器 ROM存储器 旋转硬盘 固态硬盘
随机访问存储器：
1 静态（SRAM）:双稳定特性、只要通电就能永远稳定，速度较快
2 动态（DRAM）：对干扰敏感，一旦电压被干扰，永远不能恢复，并且暴露在光线下会导致电容电压改变，速度较慢。
DRAM中=芯片单元分成M个超单元，每个超单元有N个DRAM单元组成，并有r行 c列。
读取过程：从16*8的DRAM中读取超单元（4,3），首先存储控制器发送行地址4，然后DRAM将4行的所有内容拷贝到内部行缓冲区，接着控制器再发送列地址3，DRAM将行缓冲区拷贝出超单元（4,3）中的8位并发送到存储控制器。
快业模式的DRAM: 存储控制器发送行地址的时候后面跟着三个列地址（1+3），相比原本的DRAM拷贝一次行就浪费一次要快得多。
VRAM： 输出时通过对行内部缓冲区的整个内容行位移得到，更快，并且允许对存储器并行的读和写。
非易失性存储器：
ROM（只读存储器）：
1 PROM（只能被编程一次，只能高电流熔断一次）
2 可擦写可编程ROM(光擦除的可擦写和冲编程的次数达1000次，电子可擦除的可达到10^5次)
3 闪存
固件：存储在ROM设备中的程序。
movl A，%eax的过程：
1 CPU将地址放到系统总线上
2 I/O桥将信号信号传递到存储器
3 存储器从系统总线上读取地址A
4 并读取除数据写到存储器总线上
5 I/O桥将存储器总线上的信号翻译成系统总线号，并传递到CUP。
6 CPU从总线上读数据并拷贝到寄存器%eax
movl %eax，A的过程：
1 CPU将地址A放到系统总线上（I/O桥信号翻译过程也在其中）
2 存储器从总线上读出地址A，等待数据送达
3 CPU将%eax中的数据字拷贝到系统总线上（和2同时）
4 主存从存储器总线独处数据字并存到DRAM的A地址中。
磁盘构造：
盘片（有两面，盘片中央有可旋转的主轴，旋转速度RPM）
每个表面有8个磁道，没个刺刀被划分为一组扇区，扇区间的空隙存储用来标识扇区的格式化位。
磁盘容量=字节数/扇区+平均扇区数/磁道+磁道数/表面+表面数/盘片+盘片数/磁盘
磁盘上一个扇区读取时间=寻道时间+传送时间+平均旋转时间（总传送时间的一半）
局部性：
1 时间局部性（被引用过一次的存储器位置不久后也有可能在被多次引用）
2 空间局部性（被引用过一次的存储器位置不久后将引用附近的位置）
具有步长为K的引用模式的程序，K越小空间局部性越好。
重复引用同一个变量的程序有良好的时间局部性。
教材学习中的问题和解决过程
P385中谈到若DRAM被组织成一个线性数组，则需要4个地址引脚，一开始没反应过来，后来问了同学才知道自己没注意一个地址引脚带两位（0、1），则16位的话要4个地址引脚。
弄懂之后就会做习题6.1了
P403页
如图，一开始弄不懂为什么这是一个步长为1的引用模式，后来问了周岐浩同学知道该程序行优先顺序访问，如a00到a01、a01到a02都隔了一个元素，以此类推，所以是步长为1.
下图按照列优先顺序被访问，那么就不止隔着一个元素了，如a00到a10隔着3个元素，a10到a01隔着2个元素，所以局部性很差。
由此可得课后作业习题6.8中可把程序循环部分改成：
for(k = 0;k < N;k++)
for(i = 0;i < N;i++)
for(j = 0;j < N;j++)
或者 sum+=a[i][j][k]
其他（感悟、思考等，可选）
还是那句话，课本很重要，习题不能不做。