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  • Synopsys工艺库札记

    Synopsys工艺库札记

    库的基本信息


    库类

    库类语句指定库名。

    library ( smic13HT_ss ) {
    ...
    <lirary description>
    ...
    } /*end of library*/
    

    库级属性

    库级属性是作用整个库的语句,通常包括库特征,如工艺类型、日期、版本和用于整个库的默认值。

    library ( smic13HT_ss ) {
        delay_model                    : table_lookup ;
        in_place_swap_mode             : match_footprint ;
        time_unit                      : "1ns" ;
        voltage_unit                   : "1V" ;
        current_unit                   : "1uA" ;
        pulling_resistance_unit        : "1kohm" ;
        leakage_power_unit             : "1nW" ;
        capacitive_load_unit           ( 1,pf ) ;
        slew_upper_threshold_pct_rise  : 90.00 ;
        slew_lower_threshold_pct_rise  : 10.00 ;
        slew_upper_threshold_pct_fall  : 90.00 ;
        slew_lower_threshold_pct_fall  : 10.00 ;
        input_threshold_pct_rise       : 50.00 ;
        input_threshold_pct_fall       : 50.00 ;
        output_threshold_pct_rise      : 50.00 ;
        output_threshold_pct_fall      : 50.00 ;
        nom_process                    : 1 ;
        nom_voltage                    : 1.08 ;
        nom_temperature                : 125 ;
        revision                       : 0.1 ;
        date                           : "Tue Oct 21 11:08:22 CST 2003" ;
        comment                        : "Copyright 2003 by Verisilicon Microelectonics (Shanghai) Co., Ltd." ;
        k_temp_hold_fall               : -0.000117 ;
        ......
        ......
        }
    

    环境描述

    库中定义的环境属性用于对温度、电压和制造工艺的偏差建模,她包括比例因子(降低标称值)、时序范围模型和工作条件。此外,环境描述也包括DC用于估算连线延迟的线载模型。

    1.比例因子


    比例因子或K因子是乘数,他提供了基于工艺、电压和温度(或简称PVT)的偏差减小延迟值的方法。

        k_temp_hold_fall               : -0.000117 ;
        k_temp_hold_rise               : 0.000224 ;
        k_volt_hold_fall               : -1.134170 ;
        k_volt_hold_rise               : -1.508669 ;
        k_temp_setup_fall              : -0.000117 ;
        k_temp_setup_rise              : 0.000224 ;
        k_volt_setup_fall              : -1.134170 ;
        k_volt_setup_rise              : -1.508669 ;
        k_temp_cell_fall               : -0.000117 ;
        k_temp_cell_rise               : 0.000224 ;
        k_volt_cell_fall               : -1.134170 ;
        k_volt_cell_rise               : -1.508669 ;
        k_temp_fall_propagation        : -0.000117 ;
        k_temp_rise_propagation        : 0.000224 ;
        k_volt_fall_propagation        : -1.134170 ;
        k_volt_rise_propagation        : -1.508669 ;
        k_temp_fall_transition         : -0.000117 ;
    

    2.工作条件


    库中定义的工艺条件集指定了工艺、温度、电压和RC树模型,它们用于设计的综合与时钟分析中。

        operating_conditions ( WORST ) {
            process     : 1 ;
            voltage     : 1.08 ;
            temperature : 125 ;
        }
    

    3.时序范围模型


    4.线载模型


    wire_load(线载)类包含DC在设计的布图前阶段用来估算互连线延迟的信息。

        wire_load ( "area_zero" ) {
            resistance    : 0.00034 ;
            capacitance   : 0.00022 ;
            area          : 0.00000 ;
            slope         : 19.0476 ;
            fanout_length ( 1,0 ) ;
            fanout_length ( 2,0.0 ) ;
            fanout_length ( 3,0.0 ) ;
            fanout_length ( 4,0.0 ) ;
            fanout_length ( 5,0.0 ) ;
            fanout_length ( 6,0.0 ) ;
            fanout_length ( 7,0.0 ) ;
            fanout_length ( 8,0.0 ) ;
            fanout_length ( 9,0.0 ) ;
            fanout_length ( 10,0.0 ) ;
            fanout_length ( 11,0.0 ) ;
            fanout_length ( 12,0.0 ) ;
            fanout_length ( 13,0.0 ) ;
            fanout_length ( 14,0.0 ) ;
            fanout_length ( 15,0.0 ) ;
            fanout_length ( 16,0.0 ) ;
            fanout_length ( 17,0.0 ) ;
            fanout_length ( 18,0.0 ) ;
            fanout_length ( 19,0.0 ) ;
            fanout_length ( 20,0.0 ) ;
        }
        wire_load ( "reference_area_20000" ) {
            resistance    : 0.00034 ;
            capacitance   : 0.00022 ;
            ......
            ......
        }
    

    单元描述

    库中的每个单元都包含了描述功能、时序和其他与每个单元相关信息的多种属性。

        cell ( AND2CLKHD1XHT ) {
            area               : 7.564 ;
            cell_leakage_power : 0.775693 ;
            cell_footprint     : and2clk ;
            pin ( A ) {
                direction        : input ;
                capacitance      : 0.0020965 ;
            }
            pin ( B ) {
                direction        : input ;
                capacitance      : 0.00201878 ;
            }
            pin ( Z ) {
                direction        : output ;
                capacitance      : 0 ;
                max_capacitance  : 0.205802 ;
                function         : "(A B)" ;
                timing (  ) {
                    related_pin  : "A" ;
                    ......
                }
                timing (  ) {
                    related_pin  : "B" ;
                    ......
                }
                internal_power (  ) {
                    related_pin : "A" ;
                    ......
                }
                internal_power (  ) {
                    related_pin : "B" ;
                    ......
                    }
                }
            }
        }
    

    参考资料


    [1]. 高级ASIC芯片综合

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