参考文献
【1】晶振电路探究性实验设计 实验技术与管理 陈世海等
【2】ST inc. Application note AN2867
【3】高频电子线路(第二版) 高等教育出版社 曾兴雯等
1.啥是晶体振荡器与晶体振荡器的主要特性
石英晶体具有正反压电效应,将其按照一定的方向切割成石英晶片,两边敷上银电极并且焊上引脚,用金属或者玻璃封装之后即构成了晶振。通常晶振的机械系统(组成方式)类比于电系统,也就是把石英晶片的质量类比于电感,弹性类比于电容,机械摩擦类比于电阻。(见【1】)如下图
(L_m)动态电感,取决于晶片厚度;
(C_m)动态电容,取决于晶片尺寸和电极面积;
(R_m)动态电阻,取决于机械损耗;
晶片之外的封装啊,焊盘引脚啊这些会构成一个静电容(C_0)。
从该模型的假设出发
(Z(omega) = (R_m + j omega L_m + frac{1}{j omega C_m}) // (frac{1}{jomega C_0}))
就可以得出这样的一个结果。但是直接计算的话结果会显得过于复杂,所以需要进行进行一些简化。参看这个公式:
一般来说,适应晶振的Q值很高(参考【3】page156 石英晶振Q值应该在(10^4) ~ (10^6)之间),甚至在有些文献【2】当中,(R_m) 在整个的讨论都被当成是可以忽略的量,所以可以把分子上面的(R_m)抹去,那么我们只要让分母虚部的结果等于0即可。
于是乎得到:
令分子分母等于零,我们可以得到两个特殊的谐振点。谐振点1满足(f_s = frac{1}{2 pi sqrt{L_m C_m}})跟一般的串联谐振定义比较相似,谐振点2满足(f_a = f_s sqrt{1+frac{C_m}{C_0}}),频点在此处时对外阻抗等于无穷大,而且此时左右处频点符号相异,这时比较接近并联谐振的定义,在文献(2)当中称之为反谐振点(anti-resonant)
但是实际使用的时候,一般并不是晶振自身形成谐振的,这样的话频点固定,难以调谐,所以一般加上负载电容(C_L)。这样的话,并联谐振的频点可以表达成(f_p = f_s sqrt{1+C_m /2(C_0 + C_L)}),使用泰勒公式可以把结果简化为