2018-2019-1 20165225《信息安全系统设计基础》第五周学习总结
教材学习内容总结
随机访问存储器
-静态（SRAM）将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。
-动态（DRAM）将每个位存储在一个对电容的充电
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磁盘容量公式：
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局部性
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时间局部性：被引用过的存储器位置在不久的将来可能会被再次引用
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空间局部性：被引用过的存储器位置在不久的将来程序可能会引用他临近的存储区
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步长：如果在连续的数组中，每隔k个元素进行访问，就叫做步长为k的引用模式，步长为1的模式也叫顺序引用模式。连续随着步长增加，空间局部性下降。
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存储器层级结构
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缓存不命中：
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1、冷缓存：k层中无缓存数据，随着引用k+1层元素逐渐趋于稳定，这也叫暖身。
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2、冲突不命中：只要不命中，就要执行某个缓存策略。
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3、容量不命中：工作集的大小超过缓存的大小
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高速缓存存储器
- 高速缓存是一个高速缓存组的数组，它的结构可以用元组（S,E,B,m）来描述：
S：这个数组中有S=2^s个高速缓存组
E：每个组包含E个高速缓存行
B：每个行是由一个B=2^b字节的数据块组成的
m：每个存储器地址有m位，形成M=2^m个不同的地址
- 除此之外还有标记位和有效位：
有效位：每个行有一个有效位，指明这个行是否包含有意义的信息
标记位：t=m-(b+s)个，唯一的标识存储在这个高速缓存行中的块
组索引位：s
块偏移位：b
高速缓存的结构将m个地址划分成了t个标记位，s个组索引位和b个块偏移位。
本周错题总结
有关磁盘操作，说法正确的是（）
A .对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。
B .磁盘以字节为单位读写数据
C .磁盘以扇区为单位读写数据
D .读写头总处于同一柱面
正确答案： A C D 你的答案： A C
有关RAM的说法，正确的是（）
A .SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。
B .DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中
C .一般来说，SRAM比DRAM快
D .SRAM常用来作高速缓存
E .DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电
F .SRAM需要不断刷新
G .DRAM被组织为二维数组而不是线性数组
- 答：DRAM比SRAM快
结对学习
- 本周依然和5221同学一起复习。
学习进度条
| 代码行数（新增/累积） | 博客量（新增/累积） | 学习时间（新增/累积） | 重要成长 | |
|---|---|---|---|---|
| 目标 | 3500行 | 12 | 14小时 | |
| 第一周 | 63/150 | 1/12 | 3小时 | |
| 第二周 | 150/150 | 2/12 | 10小时 | |
| 第三周 | 150/150 | 3/12 | 13小时 | |
| 第四周 | 97/150 | 4/12 | 10小时 | |
| 第五周 | 104/150 | 5/12 | 10小时 |