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ROM（只读存储器）按其内容写入方式，一般分为3种：固定内容ROM；可一次编程PROM；可擦除ROM，又分为EPROM（紫外线擦除电写入）和E2PROM（电擦除电写入）等类型。
(1)、固定内容ROM是采用掩模工艺制作的，其内容在出厂时已按要求固定，用户无法修改。由于固定ROM所存信息不能修改，断电后信息不消失，所以常用来存储固定的程序和数据。如在计算机中，用来存放监控、管理等专用程序。
(2)、PROM(Programmable ROM)是可一次编程ROM。这种存储器在出厂时未存入数据信息。单元可视为全“0”或全“1”，用户可按设计要求将所需存入的数码“一次性地写入”，一旦写入后就不能再改变了。PROM在每一个存储单元中都接有快速熔断丝，在用户写入数据前，各存储单元相当于存入“1”。写入数据时，将应该存“0”的单元，通以足够大的电流脉冲将熔丝烧断即可。
(3)、EPROM是为了克服PROM只能写入一次的缺点，出现了可多次擦除和编程的存储器。这种存储器在擦除方式上有两种：
一种是电写入紫外线擦除的存储器EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory)；
另一种是电写入电擦除的存储器，称为EEPROM或E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。
EPROM内容的改写不像RAM那么容易，在使用过程中，EPROM的内容是不能擦除重写的，所以仍属于只读存储器。要想改写EPROM中的内容，必须将芯片从电路板上拔下，将存储器上面的一块石英玻璃窗口对准紫外灯光照射数分钟，使存储的数据消失。擦除时间大约为10min~30min，视型号不同而异。为便于擦除操作，在器件外壳上装有透明的石英盖板，便于紫外线通过。在写好数据以后应使用不透明的纸将石英盖板遮蔽，以防止数据丢失。数据的写入可用软件编程，生成电脉冲来实现。
(4)、E2PROM是一种电写入电擦除的只读存储器，擦除时不需要紫外线，只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作。擦除操作实际上是对E2PROM进行写“1”操作，全部存储单元均写为“1”状态，编程时只要对相关部分写为“0”即可。
(5)、Flash Memory快闪存储器是新一代E2PROM，它具有E2PROM擦除的快速性，结构又有所简化，进一步提高了集成度和可靠性，从而降低了成本。目前除了各种快闪存储器的产品面世外，快闪存储器还向其他应用领域拓展，例如已经应用于计算机上的可移动磁盘，以代替软磁盘。