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  • 模拟电子电路(上)

    书名:模拟电子电路基础

    作者:胡飞跃 [主编]

          刘圆圆 游彬 顾梅园 [编著]

    时间:2016.12月第三次印刷

    第一章 模拟电子电路导论

    1.1信号与电子系统

    信号

    • 时域信号、频域信号

    信号频谱

    • 描述信号、傅里叶变换

    模拟信号与数字信号

    电子系统

    1.2放大器基本概念及其线性应用

    放大器的符号

    • 电压增益    Av    20lg|Av|dB
    • 电流增益    Ai     20lg|Ai |dB
    • 功率增益    Ap    10lg|Ap|dB

    放大器的主要参数

    • 增益
      • 电压增益
      • 电流增益
      • 互阻增益
      • 互导增益
    • 输入电阻Ri
    • 输出电阻Ro

    1.3放大器的频率响应

    带宽

    通频带BW

    第二章 理想运算放大器及其线性应用

     差模信号与共模信号

    电压型运放:放大差模信号,抑制共模信号

    实际运放:

    • 差模开环增益:100dB以上
    • 共模抑制比:100dB以上
    • 输入阻抗高:MΩ及以上
    • 输出阻抗低:Ω级别
    • 带宽较低
    • 失调和漂移低

    2.1集成运放理想模型与分析方法

    点:

    • 无限大差模开环增益
    • 无限大共模抑制比
    • 无限大输入阻抗
    • 零输出阻抗
    • 无限大带宽
    • 零失调与零漂移

    2.2集成运放线性基本运算电路

    虚短、虚断

    反相组态

    • 增益
    • 输入电阻
    • 输出电阻
    • 反相组态改进电路

    同相组态

    • 增益
    • 输入电阻
    • 输出电阻

    电压跟随器

    2.3运放的其他应用电路

    求和电路

    • 反相求和
    • 同相求和

    求差电路

    仪用运算放大器

    • 三运放电路
    • 差分放大器
    • 高共模抑制比
    • 高输入阻抗
    • 低噪声
    • 低线性误差
    • 低失调漂移

    积分电路

    • 方波到三角波的转换

    微分电路

    • 矩形波到尖顶脉冲波的转换

    2.4非理想运放的工作性能

    增益与带宽

    运放的大信号参数 

    • 输出饱和电压
    • 输出电流限制
    • 摆率与全功率带宽
      •   SR=2πfmVop max
        • fm为全功率带宽,Vop max是放大后输出最大峰值

    运放的直流参数

    • 失调电压
      •   
    • 失调电流

    第三章 晶体二极管及其基本应用

    3.1半导体基础知识

    本征半导体

    载流子的运动方式及形成的电流

    杂质半导体

    3.2PN结及其特性

    PN结的形成

    • 达到动态平衡

    PN结的基本特性

    • 正向导通反相截至

    PN结的反向击穿现象

    PN结的电容特性

    • 势垒电容
    • 扩散电容

    3.3晶体二极管

    PN结的伏安特性

    二极管的主要参数

    • 最大正向电流
    • 反向击穿电压
    • 反向电流
    • 极间电容

    3.4晶体二极管应用电路及其分析方法

    常规二极管的建模

    • 数学模型
    • 曲线模型
    • 理想二极管模型
    • 恒压降模型
    • 折线模型
    • 交流小信号模型

    图解分析法

    齐纳二极管的建模

    二极管应用电路分析

    • 限幅电路
    • 逻辑电路
    • 稳压电路

    3.5特殊晶体二极管

    肖特基二极管

    发光二极管

    变容二极管

    第四章 场效应管

    4.1MOSFET结构及工作原理

    N沟道EMOSFET器件结构

    N沟道EMOSFET工作原理

    • 截至区与沟道的产生
    • 变阻区的形成
    • 饱和区的形成
    • 沟道长度调制效应

    N沟道EMOSFET特性

    • 电路符号
    • 伏安特性
      • 变阻区
      • 饱和区
      • 截至区

    P沟道EMOSFET特性

    耗尽型MOSFET

    互补MOS或CMOS

    衬底效应

    4.2结型场效应管

    结型场效应管的结构

    工作原理

    • vgs对id的影响
    • vds对id的影响

    特征曲线与特征方程

    • 变阻区
    • 饱和区
    • 截至区
    • 击穿区

    4.3场效应管电路直流偏置

    工作点

    各种常用偏置电路

    • 固定偏置电路
    • 分压偏置电路

    直流分析与交流分析分离

    场效应管直流电路分析

    4.4场效应管放大电路分析

    场效应管小信号模型

    放大电路的性能指标

    放大器的三种组态

    • 共源极
    • 共漏极
    • 共栅极

    共源放大器

    接源极电阻的共源放大器

    共栅放大器

    共漏放大器或源极跟随器

    三种组态放大器的比较

     

    v、

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/tenjl-exv/p/7903577.html
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