MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。
那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:
首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。
其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，并且电子存在丢失可能，因此寿命理论上来说是无限的，磁场的稳定性要比电场好很多。
第三，MRAM的功耗很低。由于MRAM在写入数据时只需要反转磁场即可，因此所需功耗能够控制在比较低的范围。
第四，MRAM抗辐射效应出众。由于MRAM使用的是金属、又是磁存储结构，因此在一般的辐射下能够稳定工作，比DRAM、SRAM、NAND等强很多。
第五，MRAM读写速度比较高。目前MRAM产品的读写速度已经超过了DRAM,距离sram还有一定差距。不过随着工艺的进步和结构设计的提高，MRAM有望让速度再上一个台阶。
在这五大优势背后，MRAM也存在一些问题。比如目前制造和设计都比较困难，材料上还有进一步拓展的空间，目前价格也比较昂贵，尚未经过大规模量产等。耐久性方面，MRAM由于使用的是磁场来存储数据，因此在外界磁场干扰、高温等环境下是否能稳定、长久的保存数据，还有待检验。