长鑫存储DDR产品
DDR4 内存芯片
首颗国产 DDR4 内存芯片
DDR4 内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3 内存芯片, DDR4 内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储技术有限公司自主研发的DDR4 内存芯片满足市场主流需求，可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。
产品特点
高速数据传输
主流市场需求匹配
多领域应用支持
多产品组合
可靠性保障
应用场景
LPDDR4X 内存芯片
高效能与低功耗的解决方案
LPDDR4X 内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL 的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上, LPDDR4X 内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现, 服务于性能更高、功耗更低的移动设备。
产品特点
主流需求匹配
超高续航能力
超低功耗设计
稳定流畅体验
速度与功耗兼备
应用场景
DDR4 模组
第四代高速模组
DDR4 模组是第四代高速模组，相较于DDR3 模组，性能和带宽显著提升，最高速率可达3200Mbps。 DDR4 模组是目前内存市场主流产品，可服务于个人电脑和服务器等传统市场，以及人工智能和物联网等新兴市场。
产品特点
高容量
高带宽
种类齐全
自主开发设计
原厂内存颗粒
应用场景
长鑫存储DDR背景
长鑫存储就已正式发布了DDR4、LPDDR4X内存芯片，以及DDR4内存条，均符合国际通行标准规范，相较于上一代DDR3芯片，拥有更快的数据传输速率，更稳定的性能和更低的功耗。
尽管在行业研发上DDR4不算是最先进的技术，但是在消费市场，DDR4内存还是主流，频率上也处在平均水准。
只不过，作为第一颗国产的DDR4内存芯片，产品主要面向行业客户，当时并没有公开报价。
实际上，自2019 年 9 月 19 日，合肥长鑫存储宣布自主研发的 8Gb DDR4 芯片正式量产，采用 19 纳米工艺打造，标志着DRAM 市场也被长鑫存储以水滴石穿的毅力，硬生生劈出一条缝来。
要知道，在此之前，DRAM 产业长期被三星、SK 海力士、美光三大供应商所垄断，国内之前几乎是完全缺席的状态。
DRAM被喻为连接中央处理器的"数据高速公路"，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。去年投产的长鑫存储，是我国第一家投入量产的DRAM芯片设计制造一体化企业。
巧妙规避专利网
一个众所周知的潜规则：半导体行业后来者入局难。除了需要投入高额的研发费用以外，专利也是关键的门槛。
曾经，英特尔、得州仪器等美国大厂是DRAM 芯片的天下；中途经历了日本存储大厂的百花齐放到产业沉寂；如今韩国后来居上。美日韩国际大厂已经在 DRAM 专利上布下天罗地网。长鑫想要规避复杂的专利网难如登天。
2019年，一次关键性的转机出现——长鑫吃下了已经破产的原欧洲存储芯片巨头奇梦达的大量专利。
根据长鑫董事长兼CEO朱一明的表述，公司底层技术来自奇梦达（Qimonda），后者自2006年从母公司英飞凌剥离后一路开挂，DRAM产品销量并稳居全球第二，300mm晶圆领导者和PC及服务器DRAM产品市场最大的供应商之一，戏剧化的是三年后其申请破产。
通过与奇梦达的合作，长鑫共将1000多万份DRAM相关的技术文件（大小约2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6万项专利申请。
此外，为了规避美国方面实体名单出口制裁，长鑫方面随后对部分技术细节进行修改。目前，长鑫存储把将奇梦达的46nm工艺改进到了10nm级别，但制程也有高低之分。
去年12月5日，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。
依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得奇梦达（Qimonda）大量DRAM技术专利的实施许可，包括与DRAM、FLASH存储器、半导体工艺、半导体制造、光刻（lithography）、封装、半导体电路和存储器接口（Memory Interfaces）相关的技术，其中包括约5000种美国专利和申请。
由于提前布控，在对奇梦达留下的技术文件进行研发时，或可避开国际大厂的专利范围，甚至申请新的专利。这样一来，即便面对贸易封锁与技术围剿，长鑫仍具备相对稳定的发展空间。
中国DRAM产业引领者
日前，合肥长鑫宣布与美国半导体公司Rambus（中文名蓝铂世）签署专利许可协议，依据此协议，长鑫存储可获得后者大量动态随机存取存储(DRAM)技术专利的实施许可。
对此，蓝铂世总裁兼首席执行官LucSeraphin表示："在中国DRAM市场投资显著增长的背景下，长鑫存储脱颖而出，成为中国DRAM产业的引领者。高兴地看到长鑫存储走上DRAM产业的国际舞台。 "
有分析认为，长鑫存储已经量产DDR4产品，其在产品开发方面已经具备实力，目前与市场主流已相差不多，竞争力足够。随着研发的不断深入，不可避免会遇到一些专利问题，收购蓝铂世专利实乃明智之举。
作为国内DRAM突围短期内的"独苗"，长鑫自组建之初便是业界焦点。
据了解，合肥长鑫集成电路制造基地项目于2016年由兆易创新、中芯国际前CEO王宁国与合肥产投签订协议成立，主要股东为合肥市政府与北京兆易创新。CEO朱一明也是兆易创新的创始人，后者是全球最大的NOR Flash供应商。
值得注意的是，整个项目总投资超过2200亿元，这在安徽历史上，是毫无疑问的"大手笔"。
其中，备受关注的要数总投资约1500亿元的长鑫12英寸存储器晶圆项目。该项目号称是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资，长鑫存储技术有限公司负责管理和运营。
据规划，12 寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为 12 万片，预计分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月 4 万片，目前为 2 万片，2020 年第一季底达到 4 万片，这 4 万片都将是 19nm 工艺芯片。
据了解，目前，长鑫已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，总产能12万片每月。
参考链接：
https://www.cxmt.com/products/ddr4/
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1667112540522987034&wfr=spider&for=pc