这两天调试STM32F103外扩SRAM，将调试过程中遇到的问题记录下，SRAM的规格是256K*16的异步SRAM，地址总线为18，数据线宽度为16.
在调试过程中遇到一些小问题，希望读者能少走些弯路。
先看一下FSMC内存映射图：
由图可知，stm32的FSMC模块分为四个bank，每个bank的大小事64M。
下面这张图是FSMC各个块的信号分配图。
由上图可知，bank1 NOR/PSRAM可以分为4个子块，由FSMC_NE[4:1]来选择使能哪个子块。
例如：每小块NOR/PSRAM的64M地址范围如下：
第一块:6000 0000h--63ff ffffh
第二块:6400 0000h--67ff ffffh
第二块:6800 0000h--6bff ffffh
第三块:6c00 0000h--6fff ffffh
我们可以通过选择HADDR[27:26]来确定当前使用的是哪个64M的分地址块，如下图所示：
这里我使用的是100脚的stm32，只有NE1引脚可用，也就是说只能用Bank1的存储块1，即FSMC_Bank1_NORSRAM1。
我用的STM32是100脚的，地址和数据总线是复用的，那么需要用到锁存器来区分地址和数据，而锁存信号是NADV输出的，注意看图173和图174的NADV信号在输出地址时是低电平，输出数据时是高电平，所以锁存器要选择一个高电平锁存或者加个反向器。
在配置STM32的FSMC的寄存器时要注意下面两句话：
//使能复用模式 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Enable; //注意这里不是FSMC_MemoryType_SRAM而是FSMC_MemoryType_NOR，手册上说要想输出NADV信号只能设置成FSMC_MemoryType_NOR。 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR
SRAM参考原理图如下图：
stm32的FSMC功能用到的复用IO口比较多，配置时需要细点心：
/* *PD14(DA0) PD15(DA1) PD0(DA2) PD1(DA3) PE7~PE15(DA4~DA12) PD8~PD10(DA13~DA15) PD11(A16) PD12(A17) *PD5(WE) PD7(NE1) PD4(OE) *PE0(BL0) PE1(BL1) NADV(PB7) */ void sram_gpio_configration(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure); }
下面是具体的FSMC寄存器配置：
void fsmc_for_sram_configration(void) { FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef FSMC_NORSRAMTimingInitStructure; FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 15; FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime = 15; FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime = 255；
FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_BusTurnAroundDuration = 15;//以上这四个参数在调试的时候可以先设置为最大值，程序调通后在根据器件手册和STM32手册计算出合适的值 FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_CLKDivision = 0;//synchronize memory下面这两个参数是为同步器件准备的 FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_DataLatency = 0; FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_B;//复用总线模式下，访问模式设置为ModeB FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Enable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR;//注意这里要设置成NOR,因为只有设置为NOR，才能输出NADV信号
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &FSMC_NORSRAMTimingInitStructure; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &FSMC_NORSRAMTimingInitStructure; FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); /* - BANK 1 (of NOR/SRAM Bank 0~3) is enabled */ FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE); }
外部SRAM的访问：
在访问SRAM时纠结了许久，最后终于弄明白了。网上看了很多资料，有说在访问时要先将地址偏移，有说直接访问就行。最后经过测试发现访问片外SRAM时跟访问内部RAM一样，直接访问就可以了，FSMC都帮我们做好了。
当访问字节数据时：*((u8*)(BANK1_SRAM_BASE+offset))。1.读取SRAM数据时，将offset设为0x00，用示波器测试SRAM的A0地址信号是低，当offset为0x01时，用示波器测试SRAM的A0地址信号也是低，当offset为0x02和0x03时SRAM的A0地址信号是高，这说明当字节访问时地址确实是偏移了1位，原因是SRAM是16位器件(SRAM的1个地址存储16位数据)，一次可以访问2个字节的数据，这个时候FSMC将根据offset值判断，访问的是高8位还是低8位，即如果offset的最低位是0则访问的是16位数据的低8位，如果offset的最低位是1则访问的是16位数据的高8位。2. 向SRAM写数据时，道理也是一样的，只是写的时候通过BL[1:0]两个管脚控制写高字节还是低字节。
当访问半字数据时：*((u16*)(BANK1_SRAM_BASE+offset))。1.读取SRAM数据时，这个时候要注意了，FSMC在访问的时候要看offset的值是不是半字对齐的。如果offset是0x00，则直接访问的是SRAM的0x00地址处的16位数据，当offset是0x01时，FSMC是分两次访问的，第一次是访问SRAM的0x00地址的高字节，第二次是访问SRAM的0x01地址处的低字节(SRAM的1个地址存储16位数据)，通过用示波器测量SRAM的A0地址信号得到，信号是先低在高的一个脉冲，验证了前面的说法。2. 向SRAM写数据时，道理也是一样的，只是写的时候通过BL[1:0]两个管脚控制写高字节还是低字节。
当访问字数据时：访问字时，FSMC分为2个半字访问。
总结：外部SRAM就跟片内SRAM一样用就行了。