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  • [转]SDRAM中的一些疑惑点

    http://www.cnblogs.com/fishplj2000/archive/2012/04/20/2459224.html

    1.Precharge与Refresh的区别?

    plj:两者都是对存储单元的电容进行充电、回写。但差异在于:

         Precharge是对(一个或所有Bank)的所有工作行(active row)操作,并且是随机的,被操作工作行的地址在各Bank中不一相同。

       Refresh是对所有行依次操作,且是有固定周期的,被操作行在各Bank中均相同。

    2.AutoRefresh与SelfRefresh的区别?

    plj:AutoRefresh是user依照指定周期发给芯片的刷新命令

      SelfRefresh是芯片内部逻辑发给自己的刷新命令

      无论何种Refresh均不需要提供地址,它是芯片内部的自动操作。

    3.R/W带与不带Auto Precharge的区别?

    plj:带AutoPrecharge时:在R时,芯片自动在(最后一个有效输出数据)前(CL-1)个时钟时产生Precharge命令。

                                      在W时,芯片自动在(最后一个有效输出数据)后(Twr)时间产生Precharge命令。

         不带AutoPrecharge时,需要user在上述时刻自己产生Precharge命令。

    4.CL参数只有效于Read操作。

    5. 每个Bank中只能有一个Row处于active状态,且可以进行R/W。

        如果想操作同Bank中的另外一个Row,必须使用Precharge关闭当前工作Row,然后再active目的Row,这样才能R/W

    6. 每个Bank均active一个Row,依次在各个Bank间操作Row,这样避免R/W时消耗的多余时钟周期,可以提高数据传输带宽

     

     

    ====================================================

     

    1.正常Read时的Precharge
        Auto_Precharge和手动Precharge都在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出
    2. 手动Precharge终结Read
        手动Precharge在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出
    3.手动Burst Terminate终结Read
        Burst Terminate在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出


    4.正常Write时的Precharge
        Auto_Precharge和手动Precharge都在最后一个有效数据(LVD)后tWR/tDPL时间的时钟上升沿发出
    5. 手动Precharge终结Write
        手动Precharge在最后一个有效数据(LVD)后tWR/tDP时间的时钟上升沿发出
                       或者在Precharge同时使能DQM屏蔽掉同时刻写入的数据
    6.手动Burst Terminate终结Write
        Burst Terminate在最后一个有效数据(LVD)后1个时钟上升沿发出


    7.Burst Terminate与手动Precharge在终结Read/Write中的区别?
       带AutoPrecharge的R/W过程中,禁止使用BT和手动Precharge命令。
       Burst Terminate适用于 全页R/W、不带AutoPrecharge的突发R/W

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/esta-pessoa/p/3457254.html
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