反相器

画pmos

1. 画有源区 （OD）3.6 6
2. 画栅（POLy）上下扩出0.6u
3. 添加一个pselect层（PIMP）覆盖整个有源区0.6u，然后在外围画nwell，覆盖有源区1.8u
4. 衬底连接：pmos的衬底（nwell）必须连接vdd，画有源区1.2u 1.2u，外层覆盖nselect（NIMP）扩0.6u，最后将nwell拉长包裹。

        

布线

pmos必须接到输入信号和电源上

1. 有源区（D and S）连接，在S and D区用contact孔画三个0.6 0.6矩形，间距1.5u
2. 用metal1画两个矩形覆盖S and D的contact，扩边0.3u
3. 为完成衬底连接，我们必须在衬底的有源区中间加个contact0.6 0.6 ，距离active区0.3
4. 画电源的金属连线，宽3u
5. metal1 vdd与D端连接

nmos版图

修改参数

非门绘制，输入输出

　　pmos和nmos以多晶硅为基准对其，poly拉长连接。

　　输入：为了与外部电路连接，我们需要用到metal2.但是poly不能与metal2直接相连，用到metal1.

1. 在两个mos管连接的poly上画一个0.6 0.6 的contact
2. 在这个contact上覆盖poly，扩0.3u
3. 在这个contact的左边画一个0.6 0.6的via，在其上覆盖metal2，扩0.3u
4. 用metal1连接via和contact，扩0.3u
5. 在两版图右边的metal1连接起来，然后放一个via，在via放metal2.
6. 
7. 1是contact 2是poly 3是metal1 4是via   或者直接把contact打在poly上 然后用metal1连接。

打pin

in out vdd vss 打在metal1 pin上。

一些规则