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  • Nand Flash 基础

    1. 根据物理结构上的区别,Nand Flash主要分为:

    SLC(Single Level Cell): 单层式存储

    MLC(Multi Level Cell): 多层式存储

    TLC(Triple Level Cell): 三层式存储

    注:SLC在存储格上只存一位数据(2个状态),MLC存放两位数据(4个状态),TLC存放三位数据(8个状态)。

    2. Nand Flash 地址结构

    注:

    ①Row Address即页地址,Column Address即页内偏移

    ②正常页内容读取用Column Address(A0-A10),共11位,最大索引地址为2^11 = 2048

    ③OOB区域索引用Column Address(A0- A12),共12位,可以索引2048后面的地址

    3. Nand Flash 信号引脚

    ①CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许

    ②ALE(Address Latch Enable): 地址锁存允许

    ③CE: 片选

    ④RE: 读允许

    ⑤WE: 写允许

    ⑥WP: 在写或者擦期间,提供写保护

    ⑦R/B: 读/忙

    注:

    现代一些SOC都自带Nand Flash控制器,软件工程师只需配置一些控制寄存器,然后按照顺序填写命令寄存器、地址寄存器,操作数据寄存器读写数据。

    4. Nand Flash 命令集

    5. ECC校验

    ① ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法

    ② 校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含列校验和行校验

    列校验:

    注:CP0~CP5为6个Bit位,表示Column Parity(列极性)

    行校验:

    注:RP0~RP15为16个Bit,表示Row Parity(行极性)

    综上,对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果,16个Bit的行校验结果,共22个Bit

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/wulei0630/p/9442049.html
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