异步SRAM：正如其名，不是与特定的时钟信号同步运行，而是根据输入信号的状态运行的。因为没有信号表明读取时已确定了有效数据，也没有信号表明写入时已接收到数据，所以，需要获取制造商的数据手册，根据时序图，按“应该已读出有效数据”及“应该能接收数据”这样的条件，进行存储器的设计。
1. 读操作：OE读控制
异步SRAM的基本读操作如图1所示。
首先指定地址，然后使CE2＝WE＝高电平，CE1＝OE＝低电平，此时将在I／O引脚出现数据。
如果保持该状态而改变地址，则将出现新地址的数据。另外，如果CE1，CE2,WE和OE没有满足读状态的条件，则SRAM中止驱动I／O引脚，成高阻抗。
图1 异步SRAM的读操作
读操作时，使CE1，CE2，WE,OE等保持读状态，也允许改变地址（也就是保持存取的状态，只改变地址，读取不同地址的数据）。但是一部分高速SRAM也存在这样的情况，即当器件处于选择状态（CE有效）时，如果改变其地址，则设备判断发生了误操作，所以事先需要确认是否允许这样的应用。
2. 写操作1：WE写控制
异步SRAM的基本写操作如图2所示。
首先指定地址，如果CE2＝高电平，CE1＝低电平，则器件处于选择状态。只要OE一直有效（低电平），则在此时SRAM临时输出数据。但因为WE具有优先权，所以一旦WE有效，则I／O引脚变为高阻抗状态，SRAM不再输出数据。进行写入操作的地址必须在OE下降之前就要确定，数据的写入操作是在WE的上升沿进行的。
图2 异步SRAM的写操作1（WE写控制）
3. 写操作2：CE写控制
CE写控制的操作如图3所示。CE写控制在丽已经有效的状态下，利用CE1和CE2写入数据。因为WE已经是有效的，因此器件变为选择状态的同时也变为写状态。
图3 异步SRAM的写操作2（CE写控制）
还可以参考如下链接
http://www.cnblogs.com/sunev/archive/2011/10/31/2229973.html