内存：
SRAM 静态内存 特点就是容量小、价格高、优点是不需要软件初始化直接上电就能用
DRAM 动态内存 特点就是容量大、价格低、缺点就是上电后不能直接使用，需要软件初始化后才可以使用
单片机中：内存需求小、而且希望开发尽量简单，适合全部SRAM
PC中： 内存需求大、而且软件复杂，不在乎DRAM的初始化开销，适合全部用DRAM
外存：
NorFlash 特点就是容量小、价格高，优点是可以和CPU直接总线式相连，CPU上电后可以直接读取，所以一般用作启动介质
NandFlash 特点就是容量大、价格低、缺点就是不能直接总线式访问，也就是说不能上电CPU直接读取，需要CPU先运行一些初始化软件，然后通过时序接口读写。
所以一般PC机都是小容量的 BIOS（NorFLASH）+ 很大容量的硬盘（类似于NandFlash）+大容量DRAM(动态内存)
一般的单片机 很小容量的NorFlash+很小容量的SRAM。
嵌入式系统：因为NorFlash很贵，所以现在很多嵌入式系统倾向于不用NorFlash，
直接用：外接的大容量Nand+外接大容量DRAM+SoC内置SRAM
S5PV210使用的启动方式： 外接的大容量Nand+外接大容量DRAM+SoC内置SRAM
实际上210的启动还要复杂一些，210内置了一块97KB大小的SRAM（iRAM），同时还有一块内置的64KB大小的NorFlash（iROM）.
210的启动大致过程是：
第一步：CPU上电后从内部IROM中读取预先设置的代码，执行，这一段IROM代码做了一些基本的初始化（时钟初始化、关闭看门狗...）
（这一段IROM代码是三星出厂前设置的，三星也不知道我们板子上将来接的是什么样DRAM，因此这一段IROM是不能负责初始化外接的DRAM的，因此这一段代码只能初始化SOC内部的东西）；然后这一段代码会判断我们选择的启动模式（我们通过硬件跳线可以更改板子的启动模式），然后从相应的外部存储去读取第一部分启动代码（BL1,16KB）到内部SRAM。
第二步：从IRAM去运行刚上一步读取来的BL1(16KB)，然后执行，BL1负责初始化NANDFlash，然后将BL2读取到IRAM（剩余80KB）然后运行。
第三步：从IRAM运行BL2，BL2初始化DRAM，然后将OS读取到DRAM中，然后启动OS，启动过程结束
思路：因为启动代码的大小不是固定的，有些公司可能96KB就够了，有些公司1M都不够，所以把第二部分分为2半（BL1和BL2），这两部分协同工作来完成启动。
iROM(BL0)（64KB）是三星公司写好固化的，CPU上电从0地址开始执行
参考 博客 http://blog.csdn.net/asd451006071/article/details/43088381
BL0:
关看门口
初始化指令cache
初始化栈
初始化堆
初始化块设备复制函数（用于快速从nand、nor、sd卡中把数据拷贝到ram中）（所以可以支持多种启动）
设置SoC时钟系统
复制BL1到内部IRAM（16KB）
检查BL1的校验和
跳转到BL1去执行
S5PV210的所有启动
先1st启动 ，通过OMpin选择启动介质
再2nd， 从SD2
再UART
再USB